[发明专利]金属阻挡层的成膜方法在审
| 申请号： | 201310304219.6 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN104299940A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;费强;李晓远 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属阻挡层的成膜方法，包括步骤：1）在硅片上，进行通孔刻蚀；2）在通孔的侧壁和底部形成第一金属阻挡层，其中，第一金属阻挡层是由作为底层的Ti层和Ti层之上的第一TiN层所构成；3）在第一TiN层表面上，形成第二金属阻挡层，其中，第二金属阻挡层为第二TiN层，该第二TiN层中的氧气含量低于第一TiN层；4）退火处理。本发明能解决现有的通孔填充阻挡层产生空洞的问题，有效的提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 阻挡 方法 | ||
【主权项】：
一种金属阻挡层的成膜方法，其特征在于，包括步骤：1）在硅片上，进行通孔刻蚀；2）在通孔的侧壁和底部形成第一金属阻挡层，其中，第一金属阻挡层是由作为底层的Ti层和Ti层之上的第一TiN层所构成；3）在第一TiN层表面上，形成第二金属阻挡层，其中，第二金属阻挡层为第二TiN层，该第二TiN层中的氧气含量低于第一TiN层；4）退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310304219.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：距离测量系统及方法
- 下一篇：CRP非免疫纳米金检测试纸条及其制备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
