[发明专利]多晶硅熔丝监控结构及监控方法有效
| 申请号： | 201310304225.1 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN104299957B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 苗彬彬 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/544;G01R31/07 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅熔丝监控结构，包含一段特定长宽的多晶硅熔丝，及两连接该多晶硅熔丝两端的引出端，距离多晶硅及引出端一定距离包围有一圈不闭合的链条型环带，环带两端为另两引出端。本发明还公开了所述多晶硅熔丝监控结构的监控方法，通过上述结构，调整链条型环带与多晶硅熔丝之间的距离，能有效监控多晶硅熔丝熔断前后，不闭合链条型环带的电阻值的变化，得出多晶硅熔丝到多晶硅熔丝周围电路的安全距离。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅熔丝 监控 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅熔丝监控结构，包含有一特定长度及宽度的多晶硅熔丝，多晶硅熔丝两端具有第一及第二引出区，其特征在于：所述多晶硅熔丝两端的第一及第二引出区为多层金属结构，各层金属之间通过通孔或层间连接孔连接；第一引出区还连接第一测试端，第二引出区连接第二测试端；一导电环带环绕包围多晶硅熔丝及第一、第二引出区，且导电环带与多晶硅熔丝及第一、第二引出区保持一定距离；导电环带并不闭合，其两端口分别连接第三测试端及第四测试端。
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