[发明专利]一种多层氮化硅膜的制备方法

摘要

本发明是一种多层氮化硅膜的制备方法，按如下步骤进行：A.将经过制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积，得到高折射率氮化硅减反膜；B.得到高折射率氮化硅减反膜后，关闭硅烷流量1-2分钟，同时保持氨气流量和射频功率不变；C.继续在高折射率氮化硅减反膜的基础上再次沉积折射率略低的氮化硅减反膜；D.重复B步骤；E.在第二层氮化硅减反膜的基础上沉积低折射率氮化硅减反膜，得到三层氮化硅减反膜。在晶体硅太阳能电池上面沉积多层氮化硅减反膜，能够提高太阳能电池表面的钝化效果，并且降低电池的反射率，对电池的短流、开压都有好处，从而提升太阳能电池的效率。

主权项

一种多层氮化硅减反膜的制备方法，其特征在于按如下步骤一次进行：A将经过制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积，得到高折射率氮化硅膜，PECVD设置参数为：氨气流量为3000‑4000sccm，硅烷流量为800‑1000sccm，压力为200Pa，射频功率为3500‑4000w，沉积时间为150‑200s。B得到高折射率氮化硅减反膜后，关闭硅烷流量1‑2分钟，同时保持氨气流量和射频功率不变。C继续在高折射率减反膜的基础上，再次沉积折射率略低的氮化硅减反膜。PECVD设置参数为：氨气流量为3500‑4500sccm，硅烷流量为500‑800sccm，压力为200Pa，射频功率为3500‑4000w，沉积时间为350‑400s。D重复步骤B。E在第二层氮化硅减反膜的基础上沉积低折射率氮化硅减反膜，PECVD设置参数为：氨气流量为3800‑4500sccm，硅烷流量为400‑600sccm，压力为200Pa，射频功率为3500‑4000w，沉积时间为250‑300s。