[发明专利]一种高深宽比TSV种子层制作方法无效
| 申请号： | 201310305866.9 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN103346122A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 薛恺;于大全 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种微电子加工工艺中的高深宽比TSV种子层制作方法，其针对的问题是常规的PVD方式生成的金属种子层在硅通孔内台阶覆盖率低，造成种子层不连续，甚至会发生断裂，影响后续电镀工艺效果。本发明中，在利用PVD完成种子层淀积后，在真空或超低压环境中加热，使铜种子层流动性增加，同时辅以等离子体轰击，促进铜种子层向TSV中下部流动。同时由于等离子体的轰击作用，TSV底部的铜被轰击后会反溅到种子层最薄弱的TSV中下部侧壁，从而保证铜种子层在TSV孔内的连续性。经过回流和等离子处理的铜种子层在TSV内部的连续性得到改善，因此有利于后续电镀工艺的进行，保证TSV的填充效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高深 tsv 种子 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高深宽比TSV种子层制作方法，其特征在于包括以下步骤： 在晶圆衬底上进行TSV制作和绝缘层淀积； 利用PVD工艺在衬底表面和TSV孔内淀积铜种子层；（3）回流过程，即在真空或低气压环境下加热至200‑800℃使铜种子层流动性增加，晶圆正面朝上放置，使铜种子层由TSV口部向下流动，消除TSV底部的侧壁处的铜种子层中断，使得铜种子层沿TSV侧壁和底部均匀分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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