[发明专利]氮化物基半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310305879.6 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN103579331A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李哉勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物基半导体器件及其制造方法。在一种氮化物基半导体器件中，在氮化铝镓（AlGaN）层上形成未掺杂氮化镓（GaN）层，并且在未掺杂氮化镓层上形成硅氮化碳（SixC1-xN）功能层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物基半导体器件，其包括：衬底；设置在所述衬底上的半绝缘氮化镓（GaN）层；设置在所述半绝缘GaN层上的氮化铝镓（AlGaN）层；设置在所述AlGaN层上的未掺杂GaN层；设置在所述未掺杂GaN层上的硅氮化碳（SixC1‑xN）功能层；以及设置在所述SixC1‑xN功能层上的第一氮化硅（SiNx）层。
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