[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310306522.X | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN104299984A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100000 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的方法包括：1）在衬底上形成垫氧化层；2）在所述垫氧化层上形成具有隔离区图形的阻挡层，且所述隔离区图形能暴露出垫氧化层的表面；3）注入离子，使离子通过隔离区图形暴露出的垫氧化层表面进入衬底；4）热处理，使衬底中的离子横向扩散，形成离子注入层；5）以具有隔离区图形的阻挡层为掩模，刻蚀垫氧化层和离子注入层，使衬底上形成浅槽隔离区；6）在所述衬底的浅槽隔离区内形成场氧化层。本发明方法工艺简单，其在不降低垫氧化层及场氧化层厚度的情况下能够显著减小半导体器件中的鸟嘴长度，从而保证了半导体器件有源区的面积，可广泛应用于MOS制造领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，其上设有浅槽隔离区，在所述浅槽隔离区的外围设有离子注入层；位于所述衬底上的垫氧化层，其具有隔离区图形，并且所述隔离区图形暴露出浅槽隔离区；位于所述垫氧化层上的阻挡层，其具有隔离区图形，并且所述隔离区图形暴露出浅槽隔离区；以及位于所述浅槽隔离区的场氧化层。
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