[发明专利]大面积硅旁路二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201310308162.7 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104332402B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 梁存宝;杜永超;欧伟;韩志刚 | 申请（专利权）人： | 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/285 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种面积硅旁路二极管的制备方法，包括在衬底一面进行硼扩散形成硼扩散层、衬底另一面制出氧化环，在氧化环内衬底的裸露面上进行磷扩散形成磷扩散层；磷扩散层上制出上电极、硼扩散层上制出下电极，其特点是在衬底和氧化环之间的衬底上扩散出一个P+硼隔离环；在磷扩散层上依次蒸镀成Ti‑Pd‑Ag上电极系统；在硼扩散层上依次蒸镀成Al‑Ti‑Pd‑Ag下电极系统。本发明通过制作Ti‑Pd‑Ag上电极系统和Al‑Ti‑Pd‑Ag下电极系统，提高了电极的抗拉力强度，增强了电极的牢固度，电极不变形、不脱落；制作了在氧化环保护下的P+硼隔离环，使得反向漏电流小于1μA，提高了产品的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 旁路 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
大面积硅旁路二极管的制备方法，包括在衬底一面去掉氧化层后进行硼扩散形成硼扩散层，衬底另一面边缘留出一圈氧化层作为氧化环后，去掉氧化环圈内衬底上的氧化层后进行磷扩散形成磷扩散层；磷扩散层上制出上电极、硼扩散层上制出下电极，其特征在于：还包括以下制备过程：⑴在衬底和氧化环之间的衬底上扩散出一个P+硼隔离环；⑵在磷扩散层上的上电极为依次蒸镀上电极Ti层、上电极Pd层和上电极Ag层，构成Ti‑Pd‑Ag上电极系统；⑶在硼扩散层上的下电极为依次蒸镀下电极Al层、下电极Ti层、下电极Pd层和下电极Ag层，构成Al‑Ti‑Pd‑Ag下电极系统。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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