[发明专利]激光供能微型GaAs电池的制造方法

摘要

本发明涉及一种激光供能微型GaAs电池的制造方法，包括制备GaAs衬底，其特点是：在衬底上反结生长外延层后制作子电池；在每个子电池上制作下电极和上电极，用互联电极将相邻子电池的上电极和下电极焊接，形成串联的电池整体，对电池整体表面蒸镀减反射膜、划片，即制成本发明激光供能微型GaAs电池。本发明通过在GaAs衬底上面外延出PN和NP形成的P-N-N-P反结外延结构，使衬底和p-GaAs反结层形成了反偏电压，起到了电流截止的作用，解决了单元电池间的物理隔离造成底部漏电流的问题，有效减小了电池底部的漏电流，并且外延层很薄，厚度仅为9μm以下，降低了后期腐蚀隔离等工艺的难度，并有效提高了外延生长的质量。

主权项

激光供能微型GaAs电池的制造方法，包括制备GaAs衬底，其特征在于：在衬底上反结生长外延层后制作子电池；在每个子电池上制作下电极和上电极，用互联电极将相邻子电池的上电极和下电极焊接，形成串联的电池整体，对电池整体表面蒸镀减反射膜、划片，即制成本发明激光供能微型GaAs电池。