[发明专利]高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310308681.3 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN103400679A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 刘国磊;曹强;颜世申;梅良模;陈延学 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01F10/193;H01F41/14;H01L43/10;H01L43/12;C23C14/32;C23C14/08 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法，所述高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料结构式为Zn1-xCoxO,x=0.2～0.45。本发明采用在低温、超低氧气压条件下的氧分子束外延制备方法，得到具有单晶单相的纤维锌矿晶格结构的Zn1-xCoxO磁性半导体材料，最大Co金属固溶度达到45％。本发明制备的Zn1-xCoxO磁性半导体具备超强的室温铁磁性，最大饱和磁化强度530emu/cm3，最大平均原子磁矩1.68μB/Co、巨大的室温磁光克尔效应。制备的Zn1-xCoxO磁性半导体材料可用于自旋电子学器件。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 zno co 磁性 半导体 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料，分子式为Zn1‑xCoxO,x为掺杂成份的原子比，x=0.2～0.45。
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