[发明专利]一种太赫兹横向肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种太赫兹横向肖特基二极管，包括半绝缘层、有源区N+层、有源区N-层、钝化层、欧姆接触区、肖特基接触区、阴极和阳极。其主要制作方法为：刻蚀有源区台阶后，依次离子注入Si形成有源区N+层和有源区N-层，退火后淀积钝化层，在钝化层的保护下光刻欧姆接触区，然后再通过电子束光刻技术光刻肖特基接触区，淀积接触金属后，最后光刻阴极和阳极。本发明采用横向二极管结构，不仅制作工艺简单，精确控制晶体管的尺寸，有效降低阴阳极之间的寄生电容，提高二极管工作的截止频率和可靠性，而且将所有寄生参量相互隔离，在保证可靠性的基础上降低了寄生参量间的关联性，使器件的设计更加灵活，可用于实现太赫兹频段信号的混频或倍频。

主权项

一种太赫兹横向肖特基二极管，其特征在于，包括半绝缘层（1），凸出于半绝缘层设置的有源区N+层（2），呈梯形台阶状凸出于半绝缘层设置且其梯形下底面与有源区N+层接触的有源区N‑层（3），覆盖于半绝缘层上并将有源区N‑层和有源区N+层完全覆盖的钝化层（4），在钝化层上光刻出的将有源区N+层侧面和上面环包并在其内淀积有接触金属的欧姆接触区（5），在钝化层上光刻出的与有源区N‑层的梯形上底面条状接触并在其内淀积有接触金属的肖特基接触区（6），以及设置在钝化层上与欧姆接触区的接触金属结合的阴极（7）和与肖特基接触区的接触金属结合的阳极（8），其中，有源区N+层在垂直于半绝缘层的纵向上比有源区N‑层高0.1~0.5μm。