[发明专利]芯片封装和用于制造芯片封装的方法有效
| 申请号： | 201310310309.6 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103579189A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | A.布雷梅泽;A.布罗克迈尔;M.克纳布尔;U.迈耶;F.J.桑托斯罗德里古斯;C.冯科布林斯基 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了芯片封装和用于制造芯片封装的方法。提供一种芯片封装，所述芯片封装包括：第一封装结构；在第一封装结构上形成的第一钝化层和在第一钝化层上形成的第一导电层；在第一导电层和钝化层上布置的至少一个芯片，其中至少一个芯片接触垫接触第一导电层；在第一封装结构中形成的至少一个腔，其中至少一个腔暴露第一钝化层的覆盖所述至少一个芯片接触垫的部分；布置在第一封装结构上并且覆盖至少一个腔的第二封装结构，其中在至少一个芯片接触垫上的室区域由至少一个腔和第二封装结构来限定；其中第二封装结构包括连接到室区域的入口和出口，其中入口和出口控制去往和来自室区域的散热材料的流入和流出。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片封装，包括：第一封装结构；在第一封装结构上形成的第一钝化层和在第一钝化层上形成的第一导电层；在第一导电层和第一钝化层上布置的至少一个芯片，其中至少一个芯片接触垫接触第一导电层；在第一封装结构中形成的至少一个腔，其中所述至少一个腔暴露第一钝化层的覆盖所述至少一个芯片接触垫的部分；布置在第一封装结构上并且覆盖所述至少一个腔的第二封装结构，其中在所述至少一个芯片接触垫上的室区域由所述至少一个腔和第二封装结构来限定；其中第二封装结构包括连接到所述室区域的入口和出口，其中所述入口和所述出口控制去往和来自所述室区域的散热材料的流入和流出。
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