[发明专利]一种晶体硅太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201310310926.6 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103413838A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 毛卫平;谷士斌;田小让;王进;杨荣;孟原;郭铁;李立伟 | 申请（专利权）人： | 新奥光伏能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/078;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 杜秀科 |
| 地址： | 065001 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种晶体硅太阳电池及其制备方法。所述晶体硅太阳电池，包括第一导电类型晶体硅层；覆盖所述第一导电类型晶体硅层正面的第二导电类型晶体硅层；覆盖所述第二导电类型晶体硅层的遂穿介质膜层；位于遂穿介质膜层上的至少一个金属前电极和减反射膜层；其中，所述遂穿介质膜层的厚度范围为0.1nm～10nm。在本发明技术方案中，遂穿介质膜层既能对第一导电类型晶体硅正面钝化，又能传递载流子，因此降低了饱和暗电流密度，提高了太阳电池的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳电池，其特征在于，包括：第一导电类型晶体硅层（1）；覆盖所述第一导电类型晶体硅层（1）正面的第二导电类型晶体硅层（2）；覆盖所述第二导电类型晶体硅层（2）的遂穿介质膜层（3）；位于遂穿介质膜层（3）上的至少一个金属前电极（4）和减反射膜层（5）；其中，所述遂穿介质膜层（3）的厚度范围为0.1nm～10nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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