[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201310310945.9 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104347702A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈永初 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括一半导体衬底、一栅结构、一第一掺杂接触区、一第二掺杂接触区与一阱掺杂区。栅结构具有相对的一第一栅侧边与一第二栅侧边，并配置在半导体衬底上。第一掺杂接触区具有一第一导电型，并形成于栅结构的第一栅侧边上的半导体衬底中。第二掺杂接触区具有第一导电型，并形成于栅结构的第二栅侧边上的半导体衬底中。阱掺杂区具有第一导电型，并位于第一掺杂接触区下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一半导体衬底；一栅结构，具有相对的一第一栅侧边与一第二栅侧边，并配置在该半导体衬底上；一第一掺杂接触区，具有一第一导电型，并形成于该栅结构的该第一栅侧边上的该半导体衬底中；一第二掺杂接触区，具有该第一导电型，并形成于该栅结构的该第二栅侧边上的该半导体衬底中；以及一第三掺杂接触区，被该第一掺杂接触区与该第二掺杂接触区至少一个包围，该第三掺杂接触区具有相反于该第一导电型的一第二导电型。
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