[发明专利]C/SiC复合材料的一种连接方法无效
| 申请号： | 201310311186.8 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103408316A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 胡昌义;魏燕;蔡宏中;郑旭;陈力;祁小红;普志辉;王云 | 申请（专利权）人： | 贵研铂业股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02;C23C16/06 |
| 代理公司： | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人： | 赛晓刚 |
| 地址： | 650106 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可以实现C/SiC（碳纤维增强碳化硅复合材料）复合材料与其他金属可靠、牢固连接的连接结构和连接方法。该方法以金属铌（Nb）、氢气和氯气为原料，使用化学气相沉积（CVD）的方法在C/SiC复合材料上沉积Nb（以下简称CVDNb），制备CVDNb/（C/SiC）复合材料接头。以CVDNb为过渡连接材料，与其他金属（如镍基合金、钛合金、铌合金）等焊接，从而实现C/SiC复合材料制备的各类异型器件与其他金属器件的组装。CVDNb在C/SiC复合材料表面的沉积过程中即产生元素扩散和界面反应，形成良好的结合，无需进行后续热处理。该连接方法对C/SiC复合材料器件外形的尺寸精度要求低，该连接结构简单，气密性能良好，连接强度大，使用温度高，连接可靠性高，尤其适用于航天航空用C/SiC复合材料结构件的连接问题。 | ||
| 搜索关键词： | sic 复合材料 一种 连接 方法 | ||
【主权项】：
一种可以实现C/SiC复合材料与其他金属可靠、牢固连接的的连接结构，其特征在于：以C/SiC复合材料为基体，在基体表面制备CVD Nb，CVDNb层厚度0.1mm‑5mm，Nb晶粒是垂直于基体表面方向生长的柱状晶，CVDNb与C/SiC界面形状取决于C/SiC复合材料外形面，基体与CVDNb之间发生元素扩散，形成中间相。
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