[发明专利]功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310311327.6 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104347693A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 郑玉宁;张枫 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体器件及其制造方法，器件包括：半导体衬底；所述半导体衬底的表面的设定区域上设有第一绝缘介质层；所述第一绝缘介质层表面上部分区域和所述半导体衬底的表面上靠近所述设定区域的部分区域的表面上设有第二绝缘介质层，所述半导体衬底表面上的第二绝缘介质层与所述第一绝缘介质层表面上的所述第二绝缘介质层连通；所述第二绝缘介质层上设有栅极导电层；在所述半导体衬底中，所述第一绝缘介质层两侧以及与所述第二绝缘介质层部分区域对应的位置设有体区；所述体区中靠近所述栅极导电层边缘设有源极区。本发明实施例有效解决了现有技术中，功率半导体器件开关延迟大，开关频率低的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；所述半导体衬底的表面的设定区域上设有第一绝缘介质层；所述第一绝缘介质层表面上部分区域和所述半导体衬底的表面上靠近所述设定区域的部分区域的表面上设有第二绝缘介质层，所述半导体衬底表面上的第二绝缘介质层与所述第一绝缘介质层表面上的所述第二绝缘介质层连通；所述第二绝缘介质层上设有栅极导电层；在所述半导体衬底中，所述第一绝缘介质层两侧与所述第二绝缘介质层部分区域对应的位置设有体区；所述体区中靠近所述栅极导电层边缘设有源极区。
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