[发明专利]接面能障肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201310311338.4 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104347732A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;廖文毅 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47;H01L21/329;H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种接面能障肖特基(junction barrier Schottky,JBS)二极管及其制造方法。JBS二极管包含：N型氮化镓(gallium nitride,GaN)基板，具有上表面；氮化铝镓(aluminum gallium nitride,AlGaN)阻障层，形成于上表面上；P型氮化镓(gallium nitride,GaN)层，形成于氮化铝镓阻障层上；阳极导电层，形成于氮化铝镓阻障层上，且部分阳极导电层与氮化铝镓阻障层，形成肖特基接触；以及阴极导电层，形成于上表面上，并与N型氮化镓基板间，形成欧姆接触，且阴极导电层与阳极导电层不直接连接。 | ||
| 搜索关键词： | 接面能障肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种接面能障肖特基二极管，其特征在于，包含：一N型氮化镓基板，具有一上表面；一氮化铝镓阻障层，形成于该上表面上；一P型氮化镓层，形成于该N型氮化镓基板上；一阳极导电层，形成于该氮化铝镓阻障层上，且部分该阳极导电层与该氮化铝镓阻障层，形成肖特基接触；以及一阴极导电层，形成于该上表面上，并与该N型氮化镓基板间，形成一欧姆接触，且该阴极导电层与该阳极导电层不直接连接。
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