[发明专利]注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201310311346.9 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104347396A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王万礼;邓小社;王根毅;黄璇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，提供N型衬底；在N型衬底上形成P型掺杂层；在P型掺杂层上形成硬质层；在P型掺杂层上刻蚀形成延伸至N型衬底的沟槽；在沟槽的底部形成N型掺杂层；去除硬质层；对P型掺杂层的P型杂质和N型掺杂层的N型杂质一起进行推阱，P型杂质扩散形成P型基区，N型杂质扩散形成N型缓冲层；在沟槽表面形成栅氧介质层；在形成有栅氧介质层的沟槽中沉积多晶硅层。上述注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法中对P型掺杂层和N型掺杂层一起进行推阱，形成P型基区和N型缓冲层，只需要进行一次推阱工艺，相比于传统的注入增强型的绝缘栅双极型晶体管的制造方式，生产周期较短。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 增强 绝缘 栅双极型 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供N型衬底；在所述N型衬底上形成P型掺杂层；在所述P型掺杂层上形成硬质层；刻蚀所述硬质层形成具有沟槽图案的硬质层；在所述P型掺杂层上刻蚀形成沟槽，所述沟槽延伸至所述N型衬底中；在所述沟槽的底部形成N型掺杂层；去除所述具有沟槽图案的硬质层；对所述P型掺杂层的P型杂质和所述N型掺杂层的N型杂质一起进行推阱，所述P型杂质扩散形成P型基区，所述N型杂质扩散形成N型缓冲层；在所述沟槽表面形成栅氧介质层；在形成有所述栅氧介质层的沟槽中沉积多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
