[发明专利]基于石墨烯的反射型可饱和吸收体及制备方法有效
申请号: | 201310312516.5 | 申请日: | 2013-07-23 |
公开(公告)号: | CN103368059A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 郑燃;义理林;李伟雄;胡卫生 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01S3/11 | 分类号: | H01S3/11;G02F1/35;B82Y20/00 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种全新的基于石墨烯的反射型可饱和吸收体及制备方法。本发明获得的可饱和吸收体包括可饱和吸收层、反射膜层、基底层。制备方法如下:在生长于铜箔上的石墨烯薄膜上镀金膜,并将其倒置过来使金膜朝下,与上表面镀金膜的硅基底粘合,平整的光纤端面与石墨烯平整接触,并将光纤与可饱和吸收体固定并封装在一起。石墨烯作为可饱和吸收体具有饱和强度低、超快速的恢复时间、调制深度可调、与波长无关以及低成本等优点,结合这种反射型可饱和吸收体所特有的结构优势,实现了一种实用型的,简单高效,工作性能稳定,光损伤阈值高,且便于大规模生产的新型可饱和吸收体。 | ||
搜索关键词: | 基于 石墨 反射 饱和 吸收体 制备 方法 | ||
【主权项】:
基于石墨烯的反射型可饱和吸收体,其特征在于,包括可饱和吸收层、反射膜层、基底层;所述可饱和吸收层、所述反射膜层、所述基底层三层贴合成一体,所述反射膜层位于所述可饱和吸收层与所述基底层之间。
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