[发明专利]半导体互连结构、包括其的半导体器件及它们的制备方法

摘要

本申请提供了一种半导体互连结构、包括其的半导体器件及它们的制备方法。其中半导体互连结构包括设置在半导体器件上的内金属层；设置在内金属层上的电介质层，且该电介质层具有使内金属层裸露的通孔；设置在通孔中的缓冲部；以及填充在内置有缓冲部的通孔中的导电部。本申请通过设置电介质层和缓冲部同时为材质较软的导电部提供支撑，能够减缓键合连接过程中外接铜材料对导电部的冲击力，进而降低该冲击力对内金属层的破坏，避免内金属层出现裂纹，破损，提高该半导体互连结构的电连稳定性，提高采用这种半导体互连结构的半导体器件的使用寿命。

主权项

一种半导体互连结构，包括设置在半导体器件上的内金属层，设置在所述内金属层上的电介质层，所述电介质层具有使所述内金属层裸露的通孔，其特征在于，所述半导体互连结构进一步包括：缓冲部，设置在所述通孔中；导电部，填充在内置有所述缓冲部的所述通孔中；所述半导体互连结构通过以下步骤制备得到：提供表面具有内金属层的半导体器件；在所述内金属层上形成电介质材料层；刻蚀所述电介质材料层，形成具有使所述内金属层部分裸露的通孔；在所述通孔中形成缓冲部；在形成有所述缓冲部的通孔中填充导电材料形成导电部；形成所述通孔和所述缓冲部的步骤包括：在所述电介质材料层的表面上形成第一掩膜；刻蚀所述电介质材料层，形成具有所述通孔的电介质层和位于所述通孔中的缓冲部；去除第一掩膜；所述去除第一掩膜后还包括：在所述电介质层上形成第二掩膜；刻蚀所述缓冲部，使所述缓冲部的高度低于所述电介质层的高度；去除第二掩膜。