[发明专利]一种具有新型栅结构的栅控半导体器件有效
| 申请号： | 201310313080.1 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103400854A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 王元刚;冯志红;敦少博;吕元杰;房玉龙;顾国栋;宋旭波 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有新型栅结构的栅控半导体器件，属于半导体高频功率器件和高压器件。本发明中栅结构是由沿栅宽方向介质栅和肖特基栅交替连接组成。和常规栅结构相比，本发明主要创新是采用沿栅宽方向肖特基栅和介质栅交替出现的新型栅结构；利用介质栅降低泄露电流，同时利用肖特基栅提高栅控能力，缓解半导体器件击穿电压和频率特性的矛盾关系；同时，与常规介质栅工艺相比，本发明只需改变刻蚀栅介质的光刻版，不增加工艺步骤和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 新型 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有新型栅结构的栅控半导体器件，其特征在于自下而上包括衬底（1）、中间层和栅结构，所述栅控半导体器件的栅结构沿栅宽方向由介质栅和肖特基栅交替连接组成；所述介质栅的数目n1和肖特基栅的数目n2均为大于等于1的整数。
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