[发明专利]一种栅控二极管反熔丝单元结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种栅控二极管反熔丝单元结构及其制作方法，所述栅控二极管反熔丝单元结构至少包括沟道区；P型区及N型区，分别连接于所述沟道区的两端；栅极结构，制作于所述沟道区表面，其中，所述沟道区的导电类型可以是P型或者N型。本发明具有以下有益效果本发相比于现有的MOS结构反熔丝结构，去除了浅掺杂漏区域LDD，降低了器件的寄生电容；本发明采用栅控二极管结构的反熔丝，降低了导通时栅极所需添加的电压，提高了器件的性能并保证了器件的稳定性，降低器件失效的几率；本发明工艺与现有的MOS工艺兼容，结构简单，不增加器件成本，适用使用于工业生产。

主权项

一种栅控二极管反熔丝单元结构，其特征在于，至少包括：沟道区，其导电类型可以为N型或P型；P型区及N型区，分别连接于所述沟道区的两端，其中，所述N型区作为所述栅控二极管反熔丝单元结构的阴极，所述P型区作为所述栅控二极管反熔丝单元结构的阳极；栅极结构，制作于所述沟道区表面。