[发明专利]一种控制量子阱膜层厚度外延生长的方法在审
| 申请号： | 201310314121.9 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103390705A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 方方 | 申请（专利权）人： | 广州金鉴检测科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 511300 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制量子阱膜层厚度外延生长的方法，在衬底表面上依次生长低温缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、量子垒层和量子阱层组成的多量子阱层、电子阻挡层、p型氮化镓层、接触层。在生长量子垒层和量子阱层组成的多量子阱层时，将生长过程分为两个生长阶段进行，通过改变不同生长阶段所用载气气氛和载气流量，实现对量子阱垒层和阱层厚度的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 量子 阱膜层 厚度 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种控制量子阱膜层厚度外延生长的方法，在衬底表面上依次生长低温缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、量子垒层和量子阱层组成的多量子阱层、电子阻挡层、p型氮化镓层、接触层，在其特征在于，在生长量子垒层和量子阱层组成的多量子阱层时分为两个生长阶段进行，分别控制每个生长阶段所用载气气氛和/或载气流量。
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