[发明专利]鳍式二极管结构有效
| 申请号： | 201310314296.X | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104347729B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 王畅资;张秉真;唐天浩;苏冠丞 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种鳍式二极管结构及其制作方法，其结构包含一基底、一掺杂井形成在基底中、多个第一导电类型鳍部与多个第二导电类型鳍部凸出于掺杂井上、以及一第一导电类型掺杂区全面性地形成在第一导电类型鳍部、第二导电类型鳍部以及浅沟渠隔离结构与掺杂井之间的基底中并与第一导电类型鳍部以及第二导电类型鳍部连接。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式二极管结构，包含：一基底；一掺杂井，形成在该基底中；多个第一导电类型鳍部与多个第二导电类型鳍部凸出于该掺杂井上，其中各个这些第一导电类型鳍部以及这些第二导电类型鳍部以浅沟渠隔离结构分隔；以及一第一导电类型掺杂区，全面性地形成在这些第一导电类型鳍部、这些第二导电类型鳍部以及该浅沟渠隔离结构与该掺杂井之间的该基底中并与这些第一导电类型鳍部以及这些第二导电类型鳍部连接，其中该第一导电类型鳍部的掺杂浓度大于该第一导电类型掺杂区的掺杂浓度，该第一导电类型掺杂区的掺杂浓度大于该第一导电类型的掺杂井的掺杂浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310314296.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型微电解填料及其制备方法和用途
- 下一篇：一种带自动刮板的电解装置
- 同类专利
- 专利分类
