[发明专利]一种铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201310314965.3 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103400896A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 方小红;于洋;陈小源 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/02;H01L31/06;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池及其制备方法，所述制备方法包括步骤：1）于刚性衬底表面形成剥离层；2）于所述的剥离层表面形成聚合物薄膜层；3）于所述的聚合物薄膜层表面形成铜铟镓硒薄膜太阳电池功能层系；4）藉由所述剥离层将所述的聚合物薄膜层及铜铟镓硒薄膜太阳电池功能层系与所述刚性衬底分离。本发明以刚性衬底为基底，增加剥离层和聚合物薄膜层工艺，在电池制备完成后剥离即可获得铜铟镓硒薄膜太阳电池，降低其工艺开发难度，实现高效轻质的铜铟镓硒柔性薄膜太阳电池。同时，针对衬底无Na的特点，在聚合物薄膜层制备工艺之后，增加含Na功能层的制备，对于吸收层薄膜的生长进行优化，得到高性能的吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜铟镓硒 柔性 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供刚性衬底，于所述刚性衬底表面形成剥离层；2）于所述的剥离层表面形成聚合物薄膜层；3）于所述的聚合物薄膜层表面形成铜铟镓硒薄膜太阳电池功能层系；4）藉由所述剥离层将所述的聚合物薄膜层及铜铟镓硒薄膜太阳电池功能层系与所述刚性衬底分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
