[发明专利]硅通孔测试结构及其测试方法和形成方法有效
| 申请号： | 201310315324.X | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104347594B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 戚德奎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅通孔测试结构及其测试方法和形成方法，所述硅通孔测试结构包括第一金属层，包括位于至少部分所述导电柱上表面的第一部分和位于部分所述第一介质层上表面的第二部分，所述第一部分上表面与对应位置的所述导电柱上表面形貌一致；第二介质层，位于所述第一介质层和所述第一金属层上；测试插塞位于第一部分上且贯穿所述第二介质层；对比插塞位于第二部分上且贯穿所述第二介质层；第二金属层，位于所述测试插塞上表面和部分所述第二介质层上表面；第三金属层，位于所述对比插塞上表面和部分所述第二介质层上表面，且与所述第二金属层绝缘。所述硅通孔测试结构能够对所述导电柱是否存在表面缺陷进行测试。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 测试 结构 及其 方法 形成 | ||
【主权项】：
一种硅通孔测试结构，用于测试硅通孔中导电柱的表面情况，所述导电柱位于硅衬底中，所述硅衬底上表面具有第一介质层，所述第一介质层暴露所述导电柱上表面，其特征在于，所述硅通孔测试结构包括：第一金属层，包括位于至少部分所述导电柱上表面的第一部分和位于部分所述第一介质层上表面的第二部分，所述第一部分上表面与对应位置的所述导电柱上表面形貌一致；第二介质层，位于所述第一介质层和所述第一金属层上；测试插塞位于第一部分上且贯穿所述第二介质层；对比插塞位于第二部分上且贯穿所述第二介质层；第二金属层，位于所述测试插塞上表面和部分所述第二介质层上表面；第三金属层，位于所述对比插塞上表面和部分所述第二介质层上表面，且与所述第二金属层绝缘；所述对比插塞上表面与所述测试插塞上表面齐平，所述第二部分上表面与所述第一介质层上表面形貌一致，所述对比插塞的材料与所述测试插塞的材料相同，所述对比插塞的直径与所述测试插塞的直径相同。
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