[发明专利]一种表面粗化发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201310316475.7 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103400908A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 郑远志;康建;陈向东;徐琦;陈静 | 申请（专利权）人： | 马鞍山圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/22;H01L33/50 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山市马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了表面粗化发光二极管，包括衬底、衬底正面依次设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层和P型半导体层被部分除去以暴露出部分的N型半导体层，所述N型半导体层暴露部分的表面和P型半导体层具有一粗化表面。以上技术方案采用粗化表面提高发光二极管的发光效率。与已有技术相比，本发明的优点在于采用无掩膜刻蚀，完成发光二极管表面的粗化，工艺简单，粗化效果明显，大幅提高了发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种表面粗化发光二极管，包括衬底、衬底正面依次设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层和P型半导体层被部分除去以暴露出部分的N型半导体层，其特征在于，所述N型半导体层暴露部分的表面和P型半导体层具有一粗化表面。
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