[发明专利]一种用于制备图形衬底的一体化湿法腐蚀设备在审
申请号: | 201310316617.X | 申请日: | 2013-07-25 |
公开(公告)号: | CN104347386A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 孙永健;杨海艳 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/311;H01L21/673 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 朱红涛 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种用于制备图形衬底的一体化湿法腐蚀设备,该设备包括:控制单元;图形衬底制备单元,图形衬底制备单元主要分为:高、低温酸腐模组,图形掩膜制备模组和清洗模组。本发明引入了进行了特殊设计的BOE腐蚀槽,首先从功能上实现了图形掩膜图形化的制备功能,同时根据其制备工艺特点,设计了BOE腐蚀槽专用的腐蚀支架,实现了图形掩膜图形化的精确控制功能;同时,增加了丙酮槽和氢氟酸腐蚀槽,进一步实现了湿法腐蚀制备图形衬底的工艺在本设备的一体化实现,简化了图形衬底的制备工艺,节约时间、缩短流程。同时,本设备为生产大尺寸图形衬底工艺奠定了坚实的基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 制备 图形 衬底 一体化 湿法 腐蚀 设备 | ||
【主权项】:
一种用于制备图形衬底的一体化湿法腐蚀设备,该设备包括:控制单元;图形衬底制备单元;其中,控制单元主要为控制面板,包括:水路系统、风路系统、电力系统和酸腐废液排放系统;所述的控制单元的主要功能为:除对水路、风路、电力和酸排系统地控制外,还对图形衬底制备单元的控制,包括对酸腐蚀以及掩膜腐蚀的温度、时间控制程序设定;清洗模组程序设定,以及对设备辅助功能的控制及酸腐槽超温报警的控制;图形衬底制备单元主要分为:高、低温酸腐模组,图形掩膜制备模组和清洗模组;所述一体化湿法腐蚀设备主要包括如下部件:控制面板;高、低温酸性溶液腐蚀槽;BOE腐蚀槽;去离子水清洗槽;丙酮槽;氢氟酸腐蚀槽;挡板;槽体盖;排风系统;图形掩膜制备用特制腐蚀支架;所述的控制面板,可对每个槽体进行独立操控,可显示每个槽体内液体的温度、腐蚀或清洗的时间;可设定对时间、温度的提醒功能;所述控制面板上设有每个槽体的时间和温度的控制模块及显示模块;所述的高、低温酸性溶液腐蚀槽,把高温酸腐槽和低温酸腐槽放到同一个腐蚀大区,用挡板隔开;高、低温酸性溶液腐蚀槽温度可控为0°~350°;在样品进行图形酸腐时通过精确的控温以降低湿法腐蚀的难度,保证湿法腐蚀图形化衬底时的图形完整性;所述的BOE腐蚀槽,位于另一腐蚀大区的左部;所述的去离子水清洗槽,用以隔开BOE腐蚀槽与丙酮槽、氢氟酸腐蚀槽,能够更好地阻止各腐蚀的反应;其材料内壁平滑,不易挂污物;所述的槽体盖,在所述的每个槽体上配备;所述的电力系统,除了为本发明提供源源不断的电力支持正常运转外,亦可对每个槽体进行独立控制的模组提供与之相匹配的电力控制;所述的排风系统,为负压抽气式排风装置,位于所述设备腐蚀区的上方及后方;可独立控制对风量大小进行调节;所述的水路系统,用于对清洗晶片的、停止湿法腐蚀进程的去离子水的供给和排放;所述的酸腐废液排放系统,用于对高低温酸腐蚀废液、BOE腐蚀废液及氢氟酸腐蚀废液单个的、单独地进行控制排放。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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