[发明专利]一种IGBT的制造方法在审
申请号: | 201310316790.X | 申请日: | 2013-07-25 |
公开(公告)号: | CN104347398A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 黄璇;王万礼;王根毅 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/331 | 分类号: | H01L21/331 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 庞聪雅;张莉 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种IGBT的制造方法,其包括:提供具有第一表面和第二表面的第一或第二导电类型的衬底;在所述衬底的第一表面间隔的形成延伸入所述衬底内的第二或第一导电类型的通道;在所述衬底的第一表面上外延制备第二导电类型的缓冲区,并在所述缓冲区的外表面上外延形成第二导电类型的漂移区;基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构;自所述衬底的第二表面开始减薄所述衬底直到露出所述通道,此时所述通道和减薄后的衬底间隔交错排布;在所述通道和减薄后的衬底上形成背面金属电极,该背面金属电极与所述通道和减薄后的衬底电性接触。该方法对薄片流通能力没有特殊要求,更不需要高能离子注入机和双面曝光机等设备,与现有的常规工艺兼容,工艺简单、效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 igbt 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种IGBT的制造方法,其特征在于,其包括:提供具有第一表面和第二表面的第一导电类型或第二导电类型的衬底;在所述衬底的第一表面间隔的形成延伸入所述衬底内的第二导电类型或第一导电类型的通道,其中所述通道的导电类型与所述衬底的导电类型不同;在所述衬底的第一表面上外延制备第二导电类型的缓冲区,并在所述缓冲区的外表面上外延形成第二导电类型的漂移区;基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构;自所述衬底的第二表面开始减薄所述衬底直到露出所述通道,此时所述通道和减薄后的衬底间隔交错排布;在所述通道和减薄后的衬底上形成背面金属电极,该背面金属电极与所述通道和减薄后的衬底电性接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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