[发明专利]刻蚀机和利用刻蚀机刻蚀晶片的方法有效

专利信息
申请号: 201310319768.0 申请日: 2013-07-26
公开(公告)号: CN104347337B 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 杨盟 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/3065
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;张天舒
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种刻蚀机,该刻蚀机包括具有刻蚀腔的刻蚀机本体,其中,所述刻蚀机还包括紫外光发生装置,该紫外光发生装置中产生的紫外光能够射入所述刻蚀腔内,照射该刻蚀腔内的光刻胶。本发明还提供一种利用刻蚀机对晶片进行刻蚀的方法。与利用等离子对光刻胶进行处理的方法相比,利用紫外光可以更加充分地破坏光刻胶的分子结构中的“C=O”键,而且造成光刻胶损失较小。
搜索关键词: 刻蚀 利用 晶片 方法
【主权项】:
1.一种刻蚀机,该刻蚀机包括具有刻蚀腔的刻蚀机本体,其特征在于,所述刻蚀机还包括紫外光发生装置,该紫外光发生装置设置在所述刻蚀腔外部,该紫外光发生装置中产生的紫外光能够射入所述刻蚀腔内,照射所述刻蚀腔内的光刻胶,以打断所述光刻胶的分子结构中的“C=O”键,降低“C=O”键的比例;所述刻蚀机本体的侧壁上设置有导光通孔,该导光通孔内设置有紫外透镜组,所述紫外光发生装置包括设置有紫外光发生腔的紫外光发生本体和用于提供气体的气体源,所述紫外透镜组将导光通孔密封,以防止刻蚀腔内的气体与紫外光发生腔发生互串;所述紫外光发生腔通过所述导光通孔和所述紫外透镜组与所述刻蚀腔光路相通,所述紫外光发生腔与所述气体源流体相通;所述气体源与所述刻蚀腔选择性地流体相通。
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