[发明专利]CMOS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310321143.8 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103390587B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 张瑛;莘海维;林伟铭;李佳佳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种CMOS器件的制造方法，包括提供一衬底，所述衬底的内部形成有P阱和N阱，所述衬底的表面形成有多晶硅栅极，通过第一掩模版对所述衬底执行NMOS核心器件的光刻，执行NMOS核心器件的LDD离子注入，通过第二掩模版对所述衬底执行PMOS核心器件和NMOS输入输出器件的光刻，执行PMOS核心器件和NMOS输入输出器件的LDD离子注入，执行NMOS核心器件和NMOS输入输出器件的N+源漏注入，执行PMOS核心器件和PMOS输入输出器件的P+源漏注入。在本发明提供的CMOS器件的制造方法中，同时进行PMOS核心器件和NMOS输入输出器件的光刻以及离子注入，简化工序而降低制造成本的同时提高了器件的性能和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底的内部形成有P阱和N阱，所述衬底的表面形成有多晶硅栅极；通过第一掩模版对所述衬底执行NMOS核心器件的光刻；执行NMOS核心器件的LDD离子注入；通过第二掩模版对所述衬底执行PMOS核心器件和NMOS输入输出器件的光刻；执行PMOS核心器件和NMOS输入输出器件的LDD离子注入；执行NMOS核心器件和NMOS输入输出器件的N+源漏注入；执行PMOS核心器件和PMOS输入输出器件的P+源漏注入；其中，所述N+源漏注入包括第一次磷离子注入、第二次磷离子注入和砷离子注入；所述第一次磷离子注入采用斜向环状注入工艺，所述第二次磷离子注入和砷离子注入采用垂直注入工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310321143.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
