[发明专利]用于温度稳定化的方法、X射线辐射探测器和CT系统有效
申请号: | 201310322242.8 | 申请日: | 2013-07-29 |
公开(公告)号: | CN103576179A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | P.哈肯施迈德;C.施罗特 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | G01T1/24 | 分类号: | G01T1/24;G01T7/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 谢强 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种用于直接转换的X射线探测器的温度稳定化的方法,该直接转换的X射线探测器具有探测器表面,所述探测器表面具有半导体并且被划分为多个探测器子表面,其中在照射探测器表面时在半导体中通过电功率而产生热,其中,至少在探测器表面的照射不均匀和/或在时间上变化期间,通过引入与每个探测器子表面功率匹配的附加辐射,使得在半导体中每个探测器子表面产生的电功率保持恒定。一种按照本发明的方法探测X射线的直接转换的X射线探测器,其中至少一个具有至少一个指令参数的调节回路被构造用于附加辐射的功率调节,其对每个探测器子表面通过借助附加辐射的功率变化来保持半导体中的电功率恒定而保持半导体中的温度恒定。还涉及一种CT系统。 | ||
搜索关键词: | 用于 温度 稳定 方法 射线 辐射 探测器 ct 系统 | ||
【主权项】:
一种用于特别是在CT系统(C1)中使用的直接转换的X射线辐射探测器(C3,C5)的温度稳定化的方法,该直接转换的X射线辐射探测器具有探测器表面,所述探测器表面具有半导体(1)并且被划分为多个探测器子表面,其中在照射所述探测器表面时在半导体(1)中通过电功率而产生热,其特征在于,至少在探测器表面的照射不均匀和/或在时间上变化期间,通过引入与每个探测器子表面功率匹配的附加辐射,使得在半导体(1)中每个探测器子表面所产生的电功率保持恒定。
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