[发明专利]多晶硅铸锭的方法在审
| 申请号： | 201310323238.3 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104342752A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 龙昭钦;戴云林;刘晓风;周慧敏;徐志群;金浩;陈康平 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅铸锭的方法，包括：在坩埚的底部形成第一预设厚度的涂层，所述涂层中含有固体颗粒物，所述固体颗粒物为石英砂、氮化硅粉、碳化硅粉中的至少一种，并在所述坩埚的底部和内侧壁上喷涂氮化硅；在所述坩埚的底部铺设第二预设厚度的碎硅片，所述碎硅片的形状和尺寸不完全相同且布满所述坩埚的底部，然后将硅料装入所述坩埚内，所述硅料压迫所述碎硅片，在所述涂层上形成凹痕；整体加热所述坩埚，直至所述碎硅片和所述硅料全部熔化。本发明所提供多晶硅铸锭的方法能够在保证得到高转化效率多晶硅锭的基础上，降低生产过程中的能耗，进而降低生产成本，并且提高硅锭的成晶率，增加硅片的整体产能。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 铸锭 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅铸锭的方法，其特征在于，包括：在坩埚的底部形成第一预设厚度的涂层，所述涂层中含有固体颗粒物，所述固体颗粒物为石英砂、氮化硅粉、碳化硅粉中的至少一种，并在所述坩埚的底部和内侧壁上喷涂氮化硅；在所述坩埚的底部铺设第二预设厚度的碎硅片，所述碎硅片的形状和尺寸不完全相同且布满所述坩埚的底部，然后将硅料装入所述坩埚内，所述硅料压迫所述碎硅片，在所述涂层上形成凹痕；整体加热所述坩埚，直至所述碎硅片和所述硅料全部熔化。
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