[发明专利]去除接触窗底部自然氧化层的方法在审

专利信息
申请号: 201310323635.0 申请日: 2013-07-30
公开(公告)号: CN104347393A 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 林艺辉 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/311 分类号: H01L21/311;H01L21/28
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种去除接触窗底部自然氧化层的方法,至少包括以下步骤:提供一Si衬底,所述Si衬底上形成有具有侧壁层的栅极;然后形成二氧化硅层间介质层,并在所述具有侧壁层的栅极两侧的源极和漏极上方的二氧化硅层间介质层中形成接触窗;采用Ar等离子体去除所述接触窗底部的部分自然氧化层,接着采用SiCoNi法去除所述接触窗底部剩余的自然氧化层。本发明采用Ar等离子与SiCoNi法相结合对接触窗底部的自然氧化层进行处理,处理时间都较短,不会对衬底形成损伤,且降低了接触窗侧壁的氧化物损失,同时有效去除了接触窗底部的自然氧化层,为下一步金属硅化物的形成提供了良好的铺垫,有利于形成均匀、接触性能良好的金属硅化物,提高了产品的合格率。
搜索关键词: 去除 接触 底部 自然 氧化 方法
【主权项】:
一种去除接触窗底部自然氧化层的方法,其特征在于,所述去除接触窗底部自然氧化层的方法至少包括以下步骤:1)提供一Si衬底,所述Si衬底上形成有具有侧壁层的栅极,所述具有侧壁层的栅极两侧的Si衬底中分别形成有源极和漏极;2)在步骤1)获得的结构上形成二氧化硅层间介质层,并在所述源极和漏极上方的二氧化硅层间介质层中形成接触窗,所述接触窗底部到达所述源极和漏极上表面,使得所述源极和漏极上表面暴露于空气中,从而在所述源极和漏极上表面形成自然氧化层;3)采用Ar等离子体去除所述接触窗底部暴露的源极和漏极上表面的部分自然氧化层;4)采用SiCoNi法去除所述接触窗底部暴露的源极和漏极上表面剩余的自然氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310323635.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top