[发明专利]显示面板制作方法有效
申请号: | 201310323704.8 | 申请日: | 2013-07-30 |
公开(公告)号: | CN104347496B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 施博理 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人: | 孔丽霞 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种显示面板制作方法,其包括步骤在基板上形成栅极及覆盖栅极的栅极绝缘层、半导体层及蚀刻阻挡层。通过对基板相对两侧的两次光刻在蚀刻阻挡层上形成光阻图案,利用光阻图案将蚀刻阻挡层干蚀刻为蚀刻阻挡图案。再次通过对基板相对侧的两次光刻在所述蚀刻阻挡图案上形成光阻图案,利用光阻图案将半导体层湿蚀刻为半导体图案。在关于栅极对称的两侧分别形成部分覆盖所述蚀刻阻挡图案、半导体图案及栅极绝缘层的源极与漏极。 | ||
搜索关键词: | 显示 面板 制作方法 | ||
【主权项】:
一种显示面板制作方法,其包括如下步骤:提供一基板,所述基板包括第一表面及背向第一表面设置的第二表面;在所述基板的第一表面上形成沿第一方向延伸的栅极;在所述基板的第一表面上依次形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层、半导体层及蚀刻阻挡层;在蚀刻阻挡层上形成覆盖所述蚀刻阻挡层的光阻层;采用第一光罩从基板的第一表面侧将所述第一光阻层图案化为第一光阻图案;以栅极做为光罩从基板的第二表面侧将第一光阻图案再次图案化为比第一光阻图案小的第二光阻图案;采用干蚀刻法将蚀刻阻挡层蚀刻成比第二光阻图案小的蚀刻阻挡图案;去除干蚀刻后剩余的光阻图案,重新形成覆盖所述蚀刻阻挡图案及半导体层的第一光阻层;再次以第一光罩从基板的第一表面侧将所述第一光阻层图案化为第一光阻图案;以栅极做为光罩从基板的第二表面侧将第一光阻图案再次图案化为比第一光阻图案小的第二光阻图案;采用湿蚀刻法将半导体层蚀刻成与第二光阻图案对应的半导体图案;去除湿蚀刻后剩余的光阻图案;在关于栅极对称的第二方向上的相对两侧分别形成依次部分覆盖蚀刻阻挡层、半导体层及栅极绝缘层的源极与漏极,所述第二方向垂直于所述第一方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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