[发明专利]一种浅沟槽隔离的制造方法在审
| 申请号： | 201310323980.4 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104347472A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 范建国;沈建飞;季峰强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有垫氧化层和氮化层；在半导体衬底上刻蚀出沟槽；在所述沟槽的侧壁上进行掺氮工艺；对氮化层进行第一次回蚀工艺，去除部分沟槽附近的氮化层；对所氧化层进行第一次回蚀工艺，去除部分沟槽附近的垫氧化层；在所述沟槽中形成线形氧化层；对所述氮化层进行第二次回蚀工艺，去除部分沟槽附近的氮化层；沉积介质层填充所述沟槽。由于在沟槽侧壁进行了掺氮工艺，能形成均匀厚度的线形氧化层，防止在后续步骤再针对沟槽侧壁的线形氧化层偏厚的问题进行蚀刻，导致底部的线形氧化层过薄导致漏电的问题。并且经过沟槽侧壁经过掺氮后，STI的可靠性和绝缘性更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有垫氧化层和氮化层；在所述半导体衬底上刻蚀出沟槽；在所述沟槽的侧壁上进行掺氮工艺；对所述氮化层进行第一次回蚀工艺，去除部分沟槽附近的氮化层；对所述垫氧化层进行第一次回蚀工艺，去除部分沟槽附近的垫氧化层；在所述沟槽中形成线形氧化层；对所述氮化层进行第二次回蚀工艺，去除部分沟槽附近的氮化层；沉积介质层填充所述沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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