[发明专利]用来减少角落接口的接口材料的可湿性的方法及相关装置有效
申请号: | 201310325245.7 | 申请日: | 2013-07-30 |
公开(公告)号: | CN103579098A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 张洵渊;H·金;V·W·瑞安 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/532 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | 本发明涉及用来减少角落接口的接口材料的可湿性的方法及相关装置,其中,一种用来形成互连结构的方法,包含在基底的介电层中形成凹部。第一转换金属层形成在该凹部的角落部分上的该凹部中。第二转换金属层形成在该第一转换金属层上方的该凹部中,以作为该凹部的衬里。该凹部以填充层填充。该基底被退火。该第一转换金属层和该第二转换金属层在该退火期间,形成靠近该角落部分的合金部分。该合金部分对于该填充层的材料具有较该第二转换金属层减少的可湿性。该基底被研磨,以移除该填充层在该凹部上方延伸的部分。依据该方法所作成的装置包含设置在该角落部分上的第一和第二转换金属的合金。 | ||
搜索关键词: | 用来 减少 角落 接口 材料 可湿性 方法 相关 装置 | ||
【主权项】:
一种方法,包含:在基底的介电层中形成凹部;在该凹部的角落部分上的该凹部中形成第一转换金属层;在该凹部中形成第二转换金属层在该第一转换金属层上方,以作为该凹部的衬里;以填充层填充该凹部;退火该基底,其中,该第一转换金属层和该第二转换金属层在该退火期间,形成靠近该角落部分的合金部分,其中,该合金部分对于该填充层的材料具有较该第二转换金属层减少的可湿性;以及研磨该基底,以移除该填充层在该凹部上方所延伸的部分。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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