[发明专利]一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法

摘要

本发明公开了一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法。对于传统的PIN型铟镓砷红外探测器，由于磷化铟帽层或者衬底的吸收，限制了铟镓砷探测器在可见光波段的量子效率。本发明使用加入阻挡层的铟镓砷外延材料制备器件，在探测器阵列器件制备后与读出电路耦合，采用湿法和干法相结合的技术减薄衬底，提高器件在可见光波段的量子效率。另外，采用这种新工艺制备的平面型铟镓砷红外探测器芯片，在实现波长延伸的同时，在常规波段也能保持和传统的铟镓砷探测器相当的量子效率和暗电流。

主权项

一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法，其步骤包括：1)在传统的平面型铟镓砷外延材料中生长一层铟镓砷腐蚀阻挡层，2）制备背照射光敏芯片，3）将光敏芯片与读出电路倒焊，4）充胶，5）去除磷化铟衬底，6）去除铟镓砷腐蚀阻挡层，7）光刻胶剥离，8）芯片测试，其特征在于：A.所述的步骤1）中，在传统的平面型铟镓砷外延材料上采用金属有机化学气相沉积工艺生长一层厚度为0.2μm的铟镓砷腐蚀阻挡层；B．所述的步骤5）中，去除磷化铟衬底采用化学机械抛光和湿法腐蚀相结合的方法，机械抛光转速为12转/分钟，湿法腐蚀液采用36.5%盐酸溶液和磷酸溶液的混合液，其体积配比为3：1，腐蚀温度为25℃；C．所述的步骤6）中，采用湿法腐蚀去除铟镓砷腐蚀阻挡层，腐蚀液为50%酒石酸溶液和双氧水的混合液，其体积配比为5：1，腐蚀温度为35℃。