[发明专利]一种CIS产品的圆片级划片方法无效

专利信息
申请号: 201310327285.5 申请日: 2013-07-31
公开(公告)号: CN103358032A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 孙超;罗建忠;曾志华;赖志明 申请(专利权)人: 江阴长电先进封装有限公司
主分类号: B23K26/38 分类号: B23K26/38;H01L21/304
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 彭英
地址: 214429 江苏省无锡市江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种CIS产品的圆片级划片方法,属于半导体封装技术领域。一种CIS产品的圆片级划片方法包括如下工艺过程:将CIS产品的圆片(100)与划片膜(400)贴合;刀片(200)切割玻璃层(110)之外的结构,激光(300)切割玻璃层(110);圆片(100)经过裂片、扩膜、捡取,形成独立的单颗CIS产品。本发明提供一种用于CIS产品的划片快、划片质量好、生产成本较低、可应用于复杂产品结构的圆片级划片方法。
搜索关键词: 一种 cis 产品 圆片级 划片 方法
【主权项】:
一种CIS产品的圆片级划片方法,包括如下工艺过程:将CIS产品的圆片(100)与划片膜(400)贴合;刀片(200)切割玻璃层(110)之外的结构,激光(300)切割玻璃层(110);圆片(100)经过裂片、扩膜、捡取,形成独立的单颗CIS产品,所述CIS产品的圆片(100)的相邻单颗CIS产品之间设有划片槽区域,所述划片槽区域包括划片槽Ⅰ(101)和划片槽Ⅱ(102),所述划片槽Ⅰ(101)和划片槽Ⅱ(102)分别设置于圆片(100)的上下表面且上下对齐,所述CIS产品的圆片(100)的划片槽区域包括玻璃层(110)和硅基层(130),所述玻璃层(110)和硅基层(130)通过胶层(120)键合,所述硅基层(130)的表面设置焊球层(150)和保护层(140),所述保护层(140)填充相邻焊球的间隙。
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