[发明专利]一种用于IGBT器件的电连接结构无效
| 申请号： | 201310330191.3 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103367305A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 吴磊 | 申请（专利权）人： | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐灵;常亮 |
| 地址： | 710016 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种用于IGBT器件的电连接结构，包括DBC基板、设置于所述DBC基板上的多个IGBT芯片和二极管芯片，所述IGBT芯片的发射极、二极管芯片和外部电路以及各个IGBT芯片的栅极之间通过一导电薄膜实现电性连接。由于该薄膜的接触属于面接触，因此保证了大电流的流通。本发明免去了铝线的邦定，缩小了DBC的设计面积，减少了因IGBT模块长时间工作而引起的邦定线失效，降低了因邦定而使芯片击碎的风险，进而使产品拥有良好的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 igbt 器件 连接 结构 | ||
【主权项】：
一种用于IGBT器件的电连接结构，包括DBC基板、设置于所述DBC基板上的多个IGBT芯片和二极管芯片，其特征在于：所述IGBT芯片的发射极、二极管芯片和外部电路之间，各个IGBT芯片的栅极之间，以及各个IGBT芯片的栅极与外部电路之间都通过一导电薄膜实现电性连接。
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