[发明专利]使用氧化膜做阻挡层对栅极多晶硅进行刻蚀的方法

摘要

本发明公开了一种使用氧化膜做阻挡层对栅极多晶硅进行刻蚀的方法，主要利用湿法刻蚀对采用不同方法成长的氧化膜具有不同刻蚀速率的原理，在需要去除功率器件沟槽中的局部多晶硅时，先使用常压化学气相淀积法在沟槽中的栅极多晶硅和栅极氧化膜上淀积一层较疏松的氧化膜；然后使用掩模版和光刻胶定义出需要刻蚀的图形，利用湿法刻蚀将需要去除的栅极多晶硅上面的氧化膜去除；最后在不使用掩模版和光刻胶的情况下对栅极多晶硅进行干法刻蚀。本发明不需在表面起伏较大的多晶硅和衬底上进行曝光，提高了光刻工艺的稳定性；且不需使用光刻胶作为栅极多晶硅刻蚀的阻挡层，在刻蚀过程中避免了多晶硅残留或硅表面被刻蚀的问题，扩大了多晶硅刻蚀工艺窗口。

主权项

一种使用氧化膜做阻挡层对栅极多晶硅进行刻蚀的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)使用传统功率器件工艺完成了沟槽(1)的形成；源极保护氧化膜(2)生长；源极多晶硅(3)生长；源极多晶硅(3)全面反刻蚀至沟槽中间特定深度；两层多晶硅之间隔离介质层(4)生长；采用热氧化方法生长栅极氧化膜(5)；栅极多晶硅(6)生长及栅极多晶硅(6)刻蚀至硅表面，此时在硅表面有一层栅极氧化膜(5)而栅极多晶硅(6)表面裸露；2)使用常压化学气相淀积方法淀积一层与栅极氧化膜(5)相比膜质较疏松的氧化膜(7)；3)使用光刻掩模版和光刻胶在氧化膜(7)上定义出需要去除栅极多晶硅的区域；4)利用光刻胶(8)做阻挡层，使用湿法刻蚀将栅极多晶硅去除区域中栅极多晶硅表面的膜质较疏松的氧化膜(7)完全去除，同一区域中的硅表面仍留有一层栅极氧化膜(5)；5)去除光刻胶(8)后，使用干法刻蚀方法对栅极多晶硅(6)进行刻蚀，栅极多晶硅裸露区域被刻蚀，其他区域因为表面仍有氧化膜(7)覆盖，所以氧化膜(7)覆盖区域的栅极多晶硅和硅表面都得以保留，从而达到去除部分区域栅极多晶硅的目的。