[发明专利]一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201310330738.X | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103400853A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 邓小川;李轩;王向东;文译;饶成元;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法。本发明所述的一种碳化硅肖特基势垒二极管，包括依次层叠设置的阴极电极、N+衬底、N-漂移区、P+层和阳极电极，其特征在于，所述P+层上有多个有固定间距的凹槽，所述阳极电极填充在凹槽内。本发明的有益效果为，降低了生成碳化硅肖特基势垒二极管工艺的难度，提高了器件的性能和成品率，同时由于具有P+层，高压时能产生电导调制效应，从而具有大的抗浪涌能力。本发明尤其适用于碳化硅肖特基势垒二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 肖特基势垒二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅肖特基势垒二极管，包括依次层叠设置的阴极电极（1）、N+衬底（2）、N‑漂移区（3）、P+层（4）和阳极电极（5），其特征在于，所述P+层（4）上设置有多个固定间距的凹槽（6），所述阳极电极（5）填充在凹槽（6）内。
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