[发明专利]半导体集成电路

摘要

一种化合物半导体集成电路，其具有表面以及/或背面金属层，可用于连接至外部电路。该化合物半导体集成电路晶片(第一晶片)包含一基板、一电子元件层以及一介电层。一第一金属层形成于该介电层的表面，一第三金属层则形成于基板背面。该第一金属层与第三金属层主要由铜所构成，且用于连接至其他外部的电子电路。第一晶片上的第一或第三金属层以三维的方式分布于第一晶片的电子元件上方或下方，一第二晶片可以设置堆叠于第一晶片的表面或背面，并通过第一或第三金属层电连接两个晶片上分隔的连接节点。

主权项

一种半导体集成电路，其特征在于，包括：一第一晶片，该第一晶片包含一化合物半导体集成电路，还包括：一基板，具有至少一基板通孔贯穿该基板的第一表面与第二表面；一电子元件层，形成于该基板之上，具有一钝化层和位于该钝化层内的至少一电子元件及至少一第二金属层，该电子元件包括至少一化合物半导体电子元件；一介电层，形成于该电子元件层上，且具有至少一介电层通孔贯穿该介电层的第一表面与第二表面；一第一金属层，主要由铜所构成，该第一金属层形成至少一第一金属垫于该介电层第一表面的上，且从该至少一第一金属垫延伸进入至少一介电层通孔；其中，至少一该第二金属层连接于至少一该电子元件，至少一该第二金属层包含至少一第二金属垫形成于一介电层通孔位于该介电层的第二表面的一端，并与延伸进入该介电层通孔的第一金属层形成电接触，且至少一该第二金属层形成至少一第三金属垫于一基板通孔位于该基板的第一表面的一端，其中所有与该至少一化合物半导体电子元件所接触的第二金属层主要由金所构成；以及一第三金属层，具有至少一第四金属垫形成于该基板的第二表面，且从每一个该至少一第四金属垫延伸进入至少一基板通孔，借此与配置于基板通孔另一侧的第三金属垫形成电接触；以及一第二晶片，包含一电子电路，且堆叠于该第一晶片基板的第二表面上，并通过连接到至少其中一个该第四金属垫，与第一晶片形成电连接；其中该第一金属层以三维方式分布于该电子元件层中至少一个电子元件上方，而至少一个该第一金属垫通过该第一金属层延伸进入至少其中一个该介电层通孔而电连接于该介电层通孔另一侧的第二金属垫中的至少一个。