[发明专利]沟渠式功率半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201310331562.X | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104282645A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 林永发;张家豪 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L29/08;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟渠式功率晶体管器件，包含有一半导体基底；一外延层，设于所述半导体基底上；至少一栅极沟槽，设于所述外延层中；一栅极氧化层，位于所述栅极沟槽内；一栅极，位于所述栅极沟槽中，所述栅极突出于所述外延层，且所述栅极上具有一凹陷结构；一间隙壁，位于所述栅极的一侧壁上；一金属顶部结构，位于所述凹陷结构内；一接触插塞，位于所述间隙壁的一侧并延伸进入到所述外延层中，其中所述间隙壁隔离所述金属顶部结构与所述接触插塞；以及一源极掺杂区，位于所述外延层中并介于所述接触插塞与所述栅极沟槽之间。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟渠式功率晶体管器件，其特征在于，包含：一半导体基底，具有一第一导电型；一外延层，设于所述半导体基底上；至少一栅极沟槽，设于所述外延层中；一栅极氧化层，位于所述栅极沟槽内；一栅极，位于所述栅极沟槽中，所述栅极突出于所述外延层，且所述栅极上具有一凹陷结构；一间隙壁，位于所述栅极的一侧壁上；一金属顶部结构，位于所述凹陷结构内；一接触插塞，位于所述间隙壁的一侧并延伸进入到所述外延层中，其中所述间隙壁隔离所述金属顶部结构与所述接触插塞；以及一源极掺杂区，位于所述外延层中并介于所述接触插塞与所述栅极沟槽之间，所述源极掺杂区具有所述第一导电型。
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