[发明专利]发光二极管结构

摘要

本发明提供了一种发光二极管结构，包括基板、半导体外延层以及反射导电结构层。半导体外延层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体外延层以及被半导体外延层所暴露出的基板的部分。

主权项

1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：基板；半导体外延层，配置于该基板上，且暴露出该基板的一部分；反射导电结构层，覆盖部分该半导体外延层以及被该半导体外延层所暴露出的该基板的该部分，其中该反射导电结构层将来自该 半导体外延层的光线朝该基板方向反射；第一电极，配置于该反射导电结构层上；第二电极，配置于该反射导电结构层上；以及连接层，配置于该半导体外延层的一凹陷区域内且电性连接该第一电极与该半导体外延层；其中，该第一电极配置于该半导体外延层的一第一部分上，该第二电极配置于该半导体外延层的一第二部份上，且该反射导电结构层至少配置于该第一电极与该半导体外延层的该第一部分之间以及该第二电极与该半导体外延层的该第二部分之间；其中该半导体外延层包括依序配置于该基板上的第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层；其中该反射导电结构层包括依序配置的透明导电层、反射层以及阻障层，该透明导电层与该阻障层至少位在该第二型半导体层上，该反射层覆盖部分该半导体外延层以及被该半导体外延层所暴露出的该基板的该部分。