[发明专利]发光二极管外延生长方法有效
| 申请号： | 201310332344.8 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103560181A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 焦建军;黄小辉;李晓莹;周德保;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管外延生长方法。该方法包括：在衬底上，从下至上依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层、量子阱发光层和P型掺杂层，所述非掺杂层采用退火方式进行生长。本发明提供的发光二极管外延生长方法，利用退火方式交替生长非掺杂层，可以有效地改善衬底在高温下的翘曲度，提高衬底底部温度的均匀性，进而提高波长分布的均匀性和LED的质量。另外，还可以在一定程度上降低测试和分选成本。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延生长方法，其特征在于，包括：在衬底上，从下至上依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层、量子阱发光层和P型掺杂层，所述非掺杂层采用退火方式进行生长。
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