[发明专利]一种闪存存储器的制备方法

摘要

本发明提供一种闪存存储器的制备方法，本发明在形成浮栅之前对形成有隧穿氧化层的半导体衬底进行氧化处理，以增强与隧穿氧化层相接触的有源区表面的稳定性；同时，本发明减少制备金属硅化物的金属层的沉积厚度、以及将形成金属硅化物的热处理分两阶段进行，有利于增强金属硅化物的稳定性及表面均匀性，其中，热处理的第二阶段比第一阶段的温度更高且时间更短。本发明采用上述方法避免金属硅化物不规则地侵蚀至所述栅结构及有源区的接触面，从而降低由此不规则地侵蚀引发的编程干扰，达到抑制闪存存储器编程干扰的目的，进一步避免漏区在循环操作的可靠性降低，同时避免闪存存储器的数据保持产生尾部比特。

主权项

一种闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，通过隔离结构将所述半导体衬底隔离出有源区，并在所述有源区上形成隧穿氧化层； 2）对所述半导体衬底进行氧化处理以增强与隧穿氧化层相接触的有源区表面的稳定性；3）依次在所述隧穿氧化层上形成浮栅、阻挡氧化层及控制栅以在所述有源区上形成栅结构，在栅结构两侧形成侧墙结构，对栅结构两侧的所述有源区进行掺杂以形成源区和漏区；4）在所述源区和漏区表面形成金属硅化物。