[发明专利]绝缘体上三维半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310334054.7 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103400858A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 梁仁荣;王敬;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/51;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘体上三维半导体器件及其形成方法，该器件包括：衬底；超薄绝缘层，材料为单晶稀土氧化物或单晶氧化铍；具有第一宽度和第一高度的平面超薄半导体结构，平面超薄半导体结构位于超薄绝缘层之上；具有第二宽度和第二高度的绝缘鳍形种子层，绝缘鳍形种子层镶嵌于平面超薄半导体结构之中且与超薄绝缘层上表面相邻接，其中，第二宽度小于第一宽度，第二高度大于或等于第一高度，绝缘鳍形种子层的材料为单晶稀土氧化物或单晶氧化铍；具有第三宽度和第三高度的垂直半导体鳍，垂直半导体鳍位于绝缘鳍形种子层之上，并且第三宽度小于第一宽度；栅介质层；以及栅电极。本发明具有驱动电流大且连续可调、工艺兼容、良率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 三维 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上三维半导体器件，其特征在于，包括：衬底；超薄绝缘层，所述超薄绝缘层位于所述衬底之上，所述超薄绝缘层的材料为单晶稀土氧化物或单晶氧化铍；具有第一宽度和第一高度的平面超薄半导体结构，所述平面超薄半导体结构位于所述超薄绝缘层之上；具有第二宽度和第二高度的绝缘鳍形种子层，所述绝缘鳍形种子层镶嵌于所述平面超薄半导体结构之中且与所述超薄绝缘层上表面相邻接，其中，所述第二宽度小于所述第一宽度，所述第二高度大于或等于所述第一高度，所述绝缘鳍形种子层的材料为单晶稀土氧化物或单晶氧化铍；具有第三宽度和第三高度的垂直半导体鳍，所述垂直半导体鳍位于所述绝缘鳍形种子层之上，并且所述第三宽度小于第一宽度；栅介质层，所述栅介质层包覆所述平面超薄半导体结构的上表面和侧面、所述绝缘鳍形种子层的侧面，以及所述垂直半导体鳍的上表面和侧面；以及栅电极，所述栅电极位于所述栅介质层之上并且包覆所述平面超薄半导体结构、所述绝缘鳍形种子层，以及所述垂直半导体鳍。
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