[发明专利]瞬态电压抑制二极管芯片的制作工艺

摘要

本发明公开了瞬态电压抑制二极管芯片的制作工艺，该瞬态电压抑制二极管芯片的制作工艺包括两个生产制程：扩散制程及GPP制程。扩散制程的步骤为：原硅片测试、原硅片清洗、附磷、磷扩、磷晶分、单面吹砂、单吹清洗、涂硼、硼扩、硼晶分、硼面吹砂、硼吹清洗；其中，步骤硼扩包括一次硼扩及二次硼扩;GPP制程的步骤依次为：氧化、一次光刻、沟槽蚀刻、烧光阻、沟槽清洗、形成SIPOS钝化膜、玻璃钝化、二次光刻、表面蚀刻、镀镍金。本发明的瞬态电压抑制二极管芯片的制作工艺，其减少了芯片缺陷，使电压分布更集中，同时降低了反向漏电流。

主权项

瞬态电压抑制二极管芯片的制作工艺 ，其特征在于，包括两个生产制程：扩散制程及GPP制程：所述扩散制程的步骤依次为：原硅片测试、原硅片清洗、附磷、磷扩、磷晶分、单面吹砂、单吹清洗、涂硼、硼扩、硼晶分、硼面吹砂、硼吹清洗；其中，步骤硼扩包括两次硼扩过程，分别为一次硼扩及二次硼扩；所述GPP制程的步骤依次为：氧化、一次光刻、沟槽蚀刻、烧光阻、沟槽清洗、形成SIPOS钝化膜、玻璃钝化 、二次光刻、表面蚀刻、 镀镍金和划片；所述一次硼扩及二次硼扩的过程为：一次硼扩的过程为：扩散炉的初始温度为500℃，以5℃/分钟的速率升温至1262℃，恒温10H后，再以1℃/分钟的速率降温至1150℃，恒温1H后，以1℃/分钟的速率降温至500℃后出炉；二次硼扩的过程为：扩散炉的初始温度为500℃，以5℃/分钟的速率升温至1262℃，恒温2H后，再以1℃/分钟的速率降温至1150℃，恒温1H后，以1℃/分钟的速率降温至500℃后出炉。