[发明专利]过电流保护电路以及其服务器有效
申请号: | 201310335959.6 | 申请日: | 2013-08-05 |
公开(公告)号: | CN104331141B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 刘士杰 | 申请(专利权)人: | 纬创资通股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/26 | 分类号: | G06F1/26;H02H3/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种过电流保护电路及其服务器,其中,所述过电流保护电路耦接于电源供应模块与主机板上的负载之间,包括检测元件、检波单元、比较单元以及功率开关。检测元件耦接于电源供应模块与检波单元之间。检波单元可通过检测元件检测电源供应模块输出的供应电流于该检测元件产生的检测电压。比较单元耦接于检波单元并用以比较检测电压与参考电压,以产生控制电压。功率开关耦接于检测元件的第二端与负载之间。功率开关并耦接于比较单元,以受控于控制电压。当比较单元判断检测电压高于参考电压时,比较单元截止功率开关以切断该电源供应模块与该负载之间的供电路径。 | ||
搜索关键词: | 电流 保护 电路 及其 服务器 | ||
【主权项】:
一种过电流保护电路,其特征在于,设置于一主机板上,并耦接于一电源供应模块与所述主机板上的一负载之间,所述过电流保护电路包括:一检测元件,具有一第一端与一第二端,所述第一端耦接于所述电源供应模块;一检波单元,分别耦接于所述第一端与所述第二端,以检测所述电源供应模块输出的一供应电流于所述检测元件产生的一检测电压;一比较单元,耦接于所述检波单元,用以比较所述检测电压与一参考电压,以产生一控制电压;以及一功率开关,耦接于所述第二端与所述负载之间,所述功率开关并耦接于所述比较单元,以受控于所述控制电压;其中,当所述比较单元判断所述检测电压高于所述参考电压时,所述比较单元截止所述功率开关,以切断所述电源供应模块与所述负载之间的一供电路径;所述检波单元包括:一电压检测单元,分别耦接于所述第一端与所述第二端,以判断所述第一端与所述第二端之间的电压差异;以及一信号放大单元,耦接于所述电压检测单元,所述信号放大单元用以放大所述电压检测单元的判断结果,并对应产生所述检测电压;所述电压检测单元包括:一减法器,具有一第一输入端、一第二输入端以及一第一输出端,所述第一输入端耦接于所述第一端,所述第二输入端耦接于所述第二端,所述第二输入端并耦接于所述第一输出端;一第一电阻,耦接于所述第一端与所述第一输入端之间;一第二电阻,耦接于所述第二端与所述第二输入端之间;一第三电阻,耦接于所述第一输入端与一接地端之间;以及一第四电阻,耦接于所述第二输入端与所述第一输出端之间;所述的过电流保护电路,更包括:一软启动单元,耦接于所述比较单元与所述功率开关之间,所述软启动单元用以延迟所述功率开关于一预设时间后导通;所述软启动单元包括:一第一NMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管的漏极耦接于所述检测元件的所述第二端,所述第一NMOS晶体管的源极耦接于一接地端,所述第一NMOS晶体管的栅极耦接于所述比较单元,以接收所述控制电压;一第二NMOS晶体管,所述第二NMOS晶体管的漏极耦接于所述检测元件的所述第二端,所述第二NMOS晶体管的源极耦接于所述接地端,所述第二NMOS晶体管的栅极耦接于所述第一NMOS晶体管的漏极;一第一电容,耦接于所述第二NMOS晶体管的栅极与所述接地端之间;以及一第七电阻,与所述第一电容并联。
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