[发明专利]一种CuInSe2和TiO2复合异质结薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310336622.7 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN103436942A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 廖宇龙;张怀武;钟智勇;白飞明;李颉;金立川 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C25D15/00 | 分类号： | C25D15/00;B22F9/16;C25D11/26 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种CuInSe2和TiO2复合异质结薄膜的制备方法，属于材料技术领域。采用一维TiO2纳米管阵列作为n型半导体电子传输层，CuInSe2纳米晶作为p型材料，复合形成CuInSe2/TiO2异质结薄膜结构。首先，利用溶剂热法制备出分散良好、粒度均匀的CuInSe2纳米晶颗粒，其次采用电化学方法在金属钛片上自组织生长高度取向的TiO2纳米管阵列，最后采用电泳法将所制备的CuInSe2纳米晶颗粒负载到TiO2纳米管阵列之上，即可得到具有可见光响应、成本低廉、重复性好、且可大规模制造的复合异质结薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cuinse sub tio 复合 异质结 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CuInSe2和TiO2复合异质结薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在金属钛片表面制备TiO2纳米管阵列；所述TiO2纳米管阵列具有锐钛矿型晶体结构；步骤2：制备CuInSe2纳米晶颗粒；步骤3：配制CuInSe2纳米晶颗粒的氯仿溶胶体系；将CuInSe2纳米晶颗粒分散于氯仿溶剂中，形成浓度为10‑6‑10‑7mol/L的溶胶体系；步骤4：以步骤3所得到的溶胶体系为电泳前驱液，将两片步骤1所制备的具有锐钛矿型晶体结构的TiO2纳米管阵列分别作为电泳法的阳极和阴极浸入步骤3所得到的电泳前驱液中，使用100～200V的电压，电泳50～120分钟，最终得到CuInSe2和TiO2复合异质结薄膜。
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